IGBT транзистор FGA25N120 (25N120), TO-3P, 1200В 25А с встроенным диодом

IGBT транзистор FGA25N120 (25N120), TO-3P, 1200В 25А с встроенным диодом

Мощный IGBT транзистор FGA25N120 в корпусе TO-3P предназначен для работы в схемах инверторов, источников питания, преобразователей частоты и другой силовой электроники. Отличается высокой надежностью, возможностью работы с большими токами и напряжениями, а также наличием встроенного быстрого диода.

Подходит для использования в промышленных и бытовых устройствах: сварочные аппараты, блоки питания, ИБП, преобразователи напряжения, зарядные станции и другое оборудование.

Преимущества:

• Высокое рабочее напряжение до 1200 В

• Максимальный ток коллектора 25 А

• Встроенный быстрый диод для защиты и повышения надежности

• Корпус TO-3P для эффективного отвода тепла

• Универсальное применение в силовой электронике

Характеристики:

• Тип: IGBT транзистор

• Модель: FGA25N120 / 25N120

• Корпус: TO-3P

• Максимальное напряжение: 1200 В

• Максимальный ток: 25 А

• Встроенный диод: есть